Reliability of Planar Silicon Transistors Exposed to $sup 60$Co $gamma$ Rays; FIABILITE DE TRANSISTORS AU SILICIUM, A STRUCTURE PLANE, SOUMIS AU RAYONNEMENT $gamma$ DU $sup 60$Co
Technical Report
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OSTI ID:4534892
- Research Organization:
- Commissariat a l'Energie Atomique, Saclay (France). Centre d'etudes nucleaires
- NSA Number:
- NSA-20-029577
- OSTI ID:
- 4534892
- Report Number(s):
- CEA-R-2959
- Country of Publication:
- France
- Language:
- English
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CONTRIBUTION A L'ETUDE DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS SILICIUM A STRUCTURE PLANE SOUMIS AUX RAYONS ''GAMMA'' DU $sup 60$Co. (Contribution to the Study of the Behavior of Silicon Planar Transistors Exposed to the $sup 60$Co $gamma$ Rays).
Effect of $sup 60$Co gamma Radiation and of Thermal Neutrons on High- Resistivity P and N Silicon. Possibility of Obtaining a Nuclear Compensation for P-Type Silicon; EFFETS DU RAYONNEMENT $gamma$ DU $sup 60$Co ET DE NEUTRONS THERMIQUES SUR DU SILICIUM P ET N DE HAUTE RESISTIVITE. POSSIBILITE DE REALISER UNE COMPENSATION NUCLEAIRE D'UN SILICIUM DE TYPE P
Polarization of Bremsstrahlung; POLARISATION DU RAYONNEMENT DE FREINAGE
Thesis/Dissertation
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Sat Dec 31 23:00:00 EST 1966
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OSTI ID:4552000
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Thu Dec 31 23:00:00 EST 1964
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OSTI ID:4515083
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