Abstract
In search for semiconductors, which can be used in high-flux reactors in order to measure flux distributions, we irradiated SiC p-n junctions in the Belgium BR-1 reactor. Two types of SiC-diodes of different origin have been irradiated. These junctions are grown in the Lely-furnace. The change in forward and reverse characteristics have been measured during and after irradiation up to temperatures of 150{sup o}C, while measurements up to a temperature of 500{sup o}C are in progress. It has been found that one type resists BR-1 neutrons up to an integrated flux of 10{sup 15} n/cm{sup 2}, while the other resists irradiation up to a flux of 10{sup 17} n/cm{sup 2}. The changes in characteristics are given as well as the result of some annealing experiments. (author) [French] En recherchant des semi-conducteurs pouvant servir a mesurer les distributions de flux dans les reacteurs a haut flux de neutrons, les auteurs ont irradie des jonctions p-n au SiC dans le reacteur belge BR-1. Deux types de diodes a SiC d'origines differentes ont ete ainsi irradies. Les jonctions en question sont preparees par etirage dans le four Lely. Les auteurs ont mesure les modifications subies par les caracteristiques I-V apres et pendant l'irradiation
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Heerschap, M, and De Coninck, R.
Change of I-V characteristics of SiC diodes upon reactor irradiation; Modification des caracteristiques I-V de jonctions p-n au SiC du fait d'une irradiation dans un reacteur; Izmeneniya kharakteristik I-V vyrashchennogo v SiC perekhoda tipa p-n posle oblucheniya ego v reaktore; Modificaciones que sufren por irradiacion en un reactor las caracteristicas I-V de uniones p-n en SiC.
IAEA: N. p.,
1962.
Web.
Heerschap, M, & De Coninck, R.
Change of I-V characteristics of SiC diodes upon reactor irradiation; Modification des caracteristiques I-V de jonctions p-n au SiC du fait d'une irradiation dans un reacteur; Izmeneniya kharakteristik I-V vyrashchennogo v SiC perekhoda tipa p-n posle oblucheniya ego v reaktore; Modificaciones que sufren por irradiacion en un reactor las caracteristicas I-V de uniones p-n en SiC.
IAEA.
Heerschap, M, and De Coninck, R.
1962.
"Change of I-V characteristics of SiC diodes upon reactor irradiation; Modification des caracteristiques I-V de jonctions p-n au SiC du fait d'une irradiation dans un reacteur; Izmeneniya kharakteristik I-V vyrashchennogo v SiC perekhoda tipa p-n posle oblucheniya ego v reaktore; Modificaciones que sufren por irradiacion en un reactor las caracteristicas I-V de uniones p-n en SiC."
IAEA.
@misc{etde_22028351,
title = {Change of I-V characteristics of SiC diodes upon reactor irradiation; Modification des caracteristiques I-V de jonctions p-n au SiC du fait d'une irradiation dans un reacteur; Izmeneniya kharakteristik I-V vyrashchennogo v SiC perekhoda tipa p-n posle oblucheniya ego v reaktore; Modificaciones que sufren por irradiacion en un reactor las caracteristicas I-V de uniones p-n en SiC}
author = {Heerschap, M, and De Coninck, R}
abstractNote = {In search for semiconductors, which can be used in high-flux reactors in order to measure flux distributions, we irradiated SiC p-n junctions in the Belgium BR-1 reactor. Two types of SiC-diodes of different origin have been irradiated. These junctions are grown in the Lely-furnace. The change in forward and reverse characteristics have been measured during and after irradiation up to temperatures of 150{sup o}C, while measurements up to a temperature of 500{sup o}C are in progress. It has been found that one type resists BR-1 neutrons up to an integrated flux of 10{sup 15} n/cm{sup 2}, while the other resists irradiation up to a flux of 10{sup 17} n/cm{sup 2}. The changes in characteristics are given as well as the result of some annealing experiments. (author) [French] En recherchant des semi-conducteurs pouvant servir a mesurer les distributions de flux dans les reacteurs a haut flux de neutrons, les auteurs ont irradie des jonctions p-n au SiC dans le reacteur belge BR-1. Deux types de diodes a SiC d'origines differentes ont ete ainsi irradies. Les jonctions en question sont preparees par etirage dans le four Lely. Les auteurs ont mesure les modifications subies par les caracteristiques I-V apres et pendant l'irradiation a des temperatures allant jusqu'a 150{sup o}C; ils poursuivent leurs mesures dans la gamme des temperatures allant de 150{sup o}C a 500{sup o}C. Us ont constate que l'un des types de diode a SiC resiste aux neutrons du reacteur BR-1 jusqu'a 10{sup 15} n/cm{sup 2}, tandis que l'autre type resiste a l'irradiation jusqu'a 10{sup 17} n/cm{sup 2}. Les auteurs indiquent les modifications subies par les caracteristiques, ainsi que le resultat de certaines experiences de recuit. (author) [Spanish] Los autores estan tratando de encontrar semiconductores con los que sea posible medir distribuciones de flujo en reactores de flujo elevado, y con este fin irradiaron uniones p-n del SiC en el reactor BR-1 de Belgica. Irradiaron dos tipos de diodos de SiC de distintas procedencias. Las uniones se obtuvieron en el horno de Lely. Midieron las caracteristicas directa e inversa durante la irradiacion, y despues de esta, hasta la temperatura de 150{sup o}C. Se estan realizando mediciones hasta 500{sup o}C. Han encontrado que uno de los tipos de diodo es resistente a los neutrones del BR-1 hasta un flujo integrado de 10{sup 15} neutrones/cm{sup 2}, mientras que el otro soporta hasta 10{sup 17} neutrones/cm{sup 2}. La memoria indica los cambios de las caracteristicas, asi como los resultados de algunos experimentos de recocido. (author) [Russian] V poiskakh poluprovodnikov, kotorye mogli by byt' ispol'zovany v reaktorakh s vysokoj plotnost'yu nejtronnogo potoka dlya izmereniya raspredeleniya potokov, my obluchali v bel'gijskom reaktore BR-1 perekhody tipa p-n v SiC. Byli oblucheny dva tipa diodov SiC razlichnogo proiskhozhdeniya. EHti perekhody vyrashchivayutsya v pechi Loli. Izmeneniya pryamoj i obratnoj kharakteristik byli izmereny posle i vo vremya oblucheniya vplot' do temperatury 150{sup o}C; v nastoyashchee vremya proizvodyatsya izmereniya vplot' do temperatury 500{sup o}C. Bylo ustanovleno, chto odin tip dioda vyderzhivaet nejtronnoe obluchenie reaktora BR-1 vplot' do integrirovannogo potoka 10{sup 15} nejtronov na kv. sm, togda kak drugoj tip vyderzhivaet obluchenie vplot' do potoka 10{sup 17} nejtronov na kv. sm. Dayutsya izmeneniya kharakteristik, a takzhe rezul'taty nekotorykh ehksperimentov otzhiga. (author)}
place = {IAEA}
year = {1962}
month = {Apr}
}
title = {Change of I-V characteristics of SiC diodes upon reactor irradiation; Modification des caracteristiques I-V de jonctions p-n au SiC du fait d'une irradiation dans un reacteur; Izmeneniya kharakteristik I-V vyrashchennogo v SiC perekhoda tipa p-n posle oblucheniya ego v reaktore; Modificaciones que sufren por irradiacion en un reactor las caracteristicas I-V de uniones p-n en SiC}
author = {Heerschap, M, and De Coninck, R}
abstractNote = {In search for semiconductors, which can be used in high-flux reactors in order to measure flux distributions, we irradiated SiC p-n junctions in the Belgium BR-1 reactor. Two types of SiC-diodes of different origin have been irradiated. These junctions are grown in the Lely-furnace. The change in forward and reverse characteristics have been measured during and after irradiation up to temperatures of 150{sup o}C, while measurements up to a temperature of 500{sup o}C are in progress. It has been found that one type resists BR-1 neutrons up to an integrated flux of 10{sup 15} n/cm{sup 2}, while the other resists irradiation up to a flux of 10{sup 17} n/cm{sup 2}. The changes in characteristics are given as well as the result of some annealing experiments. (author) [French] En recherchant des semi-conducteurs pouvant servir a mesurer les distributions de flux dans les reacteurs a haut flux de neutrons, les auteurs ont irradie des jonctions p-n au SiC dans le reacteur belge BR-1. Deux types de diodes a SiC d'origines differentes ont ete ainsi irradies. Les jonctions en question sont preparees par etirage dans le four Lely. Les auteurs ont mesure les modifications subies par les caracteristiques I-V apres et pendant l'irradiation a des temperatures allant jusqu'a 150{sup o}C; ils poursuivent leurs mesures dans la gamme des temperatures allant de 150{sup o}C a 500{sup o}C. Us ont constate que l'un des types de diode a SiC resiste aux neutrons du reacteur BR-1 jusqu'a 10{sup 15} n/cm{sup 2}, tandis que l'autre type resiste a l'irradiation jusqu'a 10{sup 17} n/cm{sup 2}. Les auteurs indiquent les modifications subies par les caracteristiques, ainsi que le resultat de certaines experiences de recuit. (author) [Spanish] Los autores estan tratando de encontrar semiconductores con los que sea posible medir distribuciones de flujo en reactores de flujo elevado, y con este fin irradiaron uniones p-n del SiC en el reactor BR-1 de Belgica. Irradiaron dos tipos de diodos de SiC de distintas procedencias. Las uniones se obtuvieron en el horno de Lely. Midieron las caracteristicas directa e inversa durante la irradiacion, y despues de esta, hasta la temperatura de 150{sup o}C. Se estan realizando mediciones hasta 500{sup o}C. Han encontrado que uno de los tipos de diodo es resistente a los neutrones del BR-1 hasta un flujo integrado de 10{sup 15} neutrones/cm{sup 2}, mientras que el otro soporta hasta 10{sup 17} neutrones/cm{sup 2}. La memoria indica los cambios de las caracteristicas, asi como los resultados de algunos experimentos de recocido. (author) [Russian] V poiskakh poluprovodnikov, kotorye mogli by byt' ispol'zovany v reaktorakh s vysokoj plotnost'yu nejtronnogo potoka dlya izmereniya raspredeleniya potokov, my obluchali v bel'gijskom reaktore BR-1 perekhody tipa p-n v SiC. Byli oblucheny dva tipa diodov SiC razlichnogo proiskhozhdeniya. EHti perekhody vyrashchivayutsya v pechi Loli. Izmeneniya pryamoj i obratnoj kharakteristik byli izmereny posle i vo vremya oblucheniya vplot' do temperatury 150{sup o}C; v nastoyashchee vremya proizvodyatsya izmereniya vplot' do temperatury 500{sup o}C. Bylo ustanovleno, chto odin tip dioda vyderzhivaet nejtronnoe obluchenie reaktora BR-1 vplot' do integrirovannogo potoka 10{sup 15} nejtronov na kv. sm, togda kak drugoj tip vyderzhivaet obluchenie vplot' do potoka 10{sup 17} nejtronov na kv. sm. Dayutsya izmeneniya kharakteristik, a takzhe rezul'taty nekotorykh ehksperimentov otzhiga. (author)}
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