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Amorphous silicon crystallization by laser. Report of the experiments at Frascati (Project Foto); Cristallizzazione di silicio amorfo via laser. Rapporto degli esperimenti a frascati (Progetto Foto)

Abstract

The final goal of the Project FOTO is the construction of a laboratory in a clean room for the production of active matrix which can be used to obtain Active Matrix Liquid Crystal Displays (AMLCD). The AMLCD are based on Thin Film Transistors (TFT), which can be obtained by poly-silicon (poly-Si) thin films, achieved, e.g., by irradiating films of amorphous silicon (a-Si) by ultraviolet laser radiation. In this report, are presented the results of the a-Si irradiation by using the laser-facility Hercules (excimer XeCl, l=0,308 mm) done at the ENEA Frascati Centre. The transformation of a-Si into poly-Si is commented upon the variation of the space-time characteristics of the laser pulses, of the irradiation conditions and of the characteristics of the irradiated a-Si films. [Italian] Il macro-obiettivo del Progetto FOTO e' la realizzazione di un laboratorio in camera pulita per lo sviluppo di processi atti a fabbricare matrici attive utilizzabili per ottenere schermi piatti a cristalli liquidi (AMLCD, Active Matrix Liquid Crystal Display). Uno dei primi passi del processo consiste nel creare transistori a film sottile (TFT, Thin Film Transistor). A tal fine, e' necessario ottenere strati sottili di Silicio policristallino irragiando films di silicio amorfo con luce laser ultravioletta.  More>>
Authors:
Bollanti, S; Di Lazzaro, P; Murra, D; [1]  Imparato, A; Privato, C; [2]  Carluccio, R; Fortunato, G; Mariucci, L; Pecora, A [3] 
  1. ENEA, Centro Ricerche Frascati, Frascati, RM (Italy). Div. Fisica Applicata
  2. ENEA, Centro Ricerche Portici, Naples (Italy). Div. Fonti Rinnovabili
  3. CNR Istituto di Elettronica dello Stato Solido, Rome (Italy)
Publication Date:
Jul 01, 2000
Product Type:
Technical Report
Report Number:
ENEA-RT-INN-00-012
Reference Number:
EDB-01:069394
Resource Relation:
Other Information: PBD: 2000
Subject:
42 ENGINEERING; EXCIMER LASERS; CRYSTALLIZATION; AMORPHOUS STATE; CRYSTAL GROWTH; SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON; THIN FILMS
OSTI ID:
20159519
Research Organizations:
Ente per le nuove tecnologie, l'energia e l'ambiente, Serie Innovazione, Rome (Italy)
Country of Origin:
Italy
Language:
Italian
Other Identifying Numbers:
Other: ISSN 1120-5571; TRN: IT0100297
Availability:
Available to ETDE participating countries only(see www.etde.org); commercial reproduction prohibited; OSTI as DE20159519
Submitting Site:
ITA
Size:
38 pages
Announcement Date:
Aug 31, 2001

Citation Formats

Bollanti, S, Di Lazzaro, P, Murra, D, Imparato, A, Privato, C, Carluccio, R, Fortunato, G, Mariucci, L, and Pecora, A. Amorphous silicon crystallization by laser. Report of the experiments at Frascati (Project Foto); Cristallizzazione di silicio amorfo via laser. Rapporto degli esperimenti a frascati (Progetto Foto). Italy: N. p., 2000. Web.
Bollanti, S, Di Lazzaro, P, Murra, D, Imparato, A, Privato, C, Carluccio, R, Fortunato, G, Mariucci, L, & Pecora, A. Amorphous silicon crystallization by laser. Report of the experiments at Frascati (Project Foto); Cristallizzazione di silicio amorfo via laser. Rapporto degli esperimenti a frascati (Progetto Foto). Italy.
Bollanti, S, Di Lazzaro, P, Murra, D, Imparato, A, Privato, C, Carluccio, R, Fortunato, G, Mariucci, L, and Pecora, A. 2000. "Amorphous silicon crystallization by laser. Report of the experiments at Frascati (Project Foto); Cristallizzazione di silicio amorfo via laser. Rapporto degli esperimenti a frascati (Progetto Foto)." Italy.
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title = {Amorphous silicon crystallization by laser. Report of the experiments at Frascati (Project Foto); Cristallizzazione di silicio amorfo via laser. Rapporto degli esperimenti a frascati (Progetto Foto)}
author = {Bollanti, S, Di Lazzaro, P, Murra, D, Imparato, A, Privato, C, Carluccio, R, Fortunato, G, Mariucci, L, and Pecora, A}
abstractNote = {The final goal of the Project FOTO is the construction of a laboratory in a clean room for the production of active matrix which can be used to obtain Active Matrix Liquid Crystal Displays (AMLCD). The AMLCD are based on Thin Film Transistors (TFT), which can be obtained by poly-silicon (poly-Si) thin films, achieved, e.g., by irradiating films of amorphous silicon (a-Si) by ultraviolet laser radiation. In this report, are presented the results of the a-Si irradiation by using the laser-facility Hercules (excimer XeCl, l=0,308 mm) done at the ENEA Frascati Centre. The transformation of a-Si into poly-Si is commented upon the variation of the space-time characteristics of the laser pulses, of the irradiation conditions and of the characteristics of the irradiated a-Si films. [Italian] Il macro-obiettivo del Progetto FOTO e' la realizzazione di un laboratorio in camera pulita per lo sviluppo di processi atti a fabbricare matrici attive utilizzabili per ottenere schermi piatti a cristalli liquidi (AMLCD, Active Matrix Liquid Crystal Display). Uno dei primi passi del processo consiste nel creare transistori a film sottile (TFT, Thin Film Transistor). A tal fine, e' necessario ottenere strati sottili di Silicio policristallino irragiando films di silicio amorfo con luce laser ultravioletta. In questo rapporto, sono presentati i risultati degli irraggiamenti di film sottili di silicio amorfo tramite la laser-facility Hercules (eccimero XeCl, l=0,308 mm) effettuati presso il C.R. ENEA di Frascati. La trasformazione di silicio amorfo in silicio policristallino cosi' ottenuta e' commentata al variare delle caratteristiche spazio-temporali dell'impulso laser, delle condizioni di irraggiamento e delle caratteristiche del film di silicio amorfo irraggiato.}
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year = {2000}
month = {Jul}
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