Abstract
The two-side readable silicon strip detectors of the MPI-TU-MBB design were tested in connection with the VLSI electronics developed for this in a particle beam. By means of the data taken in an electron beam (50 GeV) and subsequently prepared by an especially developed procedure following studies were performed: the distribution of the energy loss of minimally ionizing particles in silicon was determined. The correlation between the signal-pulse heights of the two detector sides was measured. The signal-to-noise ratio was determined from the distribution of the energy loss. As essential factor for the reachable position resolution the shape of the signal charge distribution was studied. As consequence of the capacitative charge distribution charge losses between the strips occur. The influence of {delta} electrons on the width of the charge distribution and the reachable position resolution was detected. The dependence of the mean energy loss and the width of the charge distribution on the incident angle of the particle was determined. As essential result of this test the position resolution of both sides of these detectors was determined. The values, measured for this amount to 11.6 {mu}m on the {phi} side and 15.7 {mu}m on the z side. The angular dependence
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Bauer, C.
Measurement of the position resolution of two-side readable silicon strip detectors with VLSI electronics; Messung der Ortsaufloesung von doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren mit VLSI-Elektronik.
Germany: N. p.,
1991.
Web.
Bauer, C.
Measurement of the position resolution of two-side readable silicon strip detectors with VLSI electronics; Messung der Ortsaufloesung von doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren mit VLSI-Elektronik.
Germany.
Bauer, C.
1991.
"Measurement of the position resolution of two-side readable silicon strip detectors with VLSI electronics; Messung der Ortsaufloesung von doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren mit VLSI-Elektronik."
Germany.
@misc{etde_10143352,
title = {Measurement of the position resolution of two-side readable silicon strip detectors with VLSI electronics; Messung der Ortsaufloesung von doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren mit VLSI-Elektronik}
author = {Bauer, C}
abstractNote = {The two-side readable silicon strip detectors of the MPI-TU-MBB design were tested in connection with the VLSI electronics developed for this in a particle beam. By means of the data taken in an electron beam (50 GeV) and subsequently prepared by an especially developed procedure following studies were performed: the distribution of the energy loss of minimally ionizing particles in silicon was determined. The correlation between the signal-pulse heights of the two detector sides was measured. The signal-to-noise ratio was determined from the distribution of the energy loss. As essential factor for the reachable position resolution the shape of the signal charge distribution was studied. As consequence of the capacitative charge distribution charge losses between the strips occur. The influence of {delta} electrons on the width of the charge distribution and the reachable position resolution was detected. The dependence of the mean energy loss and the width of the charge distribution on the incident angle of the particle was determined. As essential result of this test the position resolution of both sides of these detectors was determined. The values, measured for this amount to 11.6 {mu}m on the {phi} side and 15.7 {mu}m on the z side. The angular dependence of the position resolution of the {phi} side was studied. The test in the particle beam yielded also some results, which make future studies necessary: The measurement have yielded differences in the position resolution of the two sides, which can only be partly explained by the geometry of the two detector sides. The position resolution is at-the-whole bader than expected. On both sides losses in signal charge occur. The signal-pulse heights of the {phi} side are lower than the corresponding signal-pulse heights of the z side. (orig./HSI). [Deutsch] Die doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren des MPI-TU-MBB-Designs wurden in Verbindung mit der dafuer entwickelten VLSI-Ausleseelektronik in einem Teilchenstrahl getestet. Anhand der in einem Elektronenstrahl (50 GeV) genommenen und anschliessend in speziell entwickelten Verfahren aufbereiteten Daten wurden folgende Untersuchungen durchgefuehrt: Die Verteilung des Energieverlustes minimal ionisierender Teilchen in Silizium wurde bestimmt. Die Korrelation zwischen den Signalpulshoehen der beiden Detektorseiten wurde gemessen. Das Signal/Rauschen-Verhaeltnis wurde aus der Verteilung des Energieverlustes bestimmt. Als wesentlicher Faktor fuer die erzielbare Ortsaufloesung, wurde die Form der Signalladungsverteilung untersucht. Als Folge der kapazitiven Ladungsverteilung treten Ladungsverluste zwischen den Streifen auf. Der Einfluss von {delta}-Elektronen auf die Breite der Ladungsverteilung und die erzielbare Ortsaufloesung wurde nachgewiesen. Die Abhaengigkeit des mittleren Energieverlustes und der Breite der Ladungsverteilung vom Eintrittswinkel des Teilchens wurde bestimmt. Als wesentliches Ergebnis dieses Tests wurde die Ortsaufloesung beider Seiten dieser Detektoren bestimmt. Die hierfuer gemessenen Werte betragen 11.6 {mu}m auf der Seite {phi}-Seite und 15.7 {mu}m auf der z-Seite. Die Winkelabhaengigkeit der Ortsaufloesung der {phi}-Seite wurde untersucht. Der Test im Teilchenstrahl erbrachte auch einige Ergebnisse die zukuenftige Untersuchungen notwendig machen: Die Messungen haben Unterschiede in der Ortsaufloesung der beiden Seiten ergeben, die nur zum Teil aus der Geometrie der beiden Detektorseiten erklaert werden koennen. Die Ortsaufloesung ist insgesamt schlechter als erwartet. Es treten auf beiden Seiten Verluste an Signalladung auf. Die Signalpulshoehen der {phi}-Seite sind niedriger als die entsprechenden Signalpulshoehen der z-Seite. (orig./HSI).}
place = {Germany}
year = {1991}
month = {Nov}
}
title = {Measurement of the position resolution of two-side readable silicon strip detectors with VLSI electronics; Messung der Ortsaufloesung von doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren mit VLSI-Elektronik}
author = {Bauer, C}
abstractNote = {The two-side readable silicon strip detectors of the MPI-TU-MBB design were tested in connection with the VLSI electronics developed for this in a particle beam. By means of the data taken in an electron beam (50 GeV) and subsequently prepared by an especially developed procedure following studies were performed: the distribution of the energy loss of minimally ionizing particles in silicon was determined. The correlation between the signal-pulse heights of the two detector sides was measured. The signal-to-noise ratio was determined from the distribution of the energy loss. As essential factor for the reachable position resolution the shape of the signal charge distribution was studied. As consequence of the capacitative charge distribution charge losses between the strips occur. The influence of {delta} electrons on the width of the charge distribution and the reachable position resolution was detected. The dependence of the mean energy loss and the width of the charge distribution on the incident angle of the particle was determined. As essential result of this test the position resolution of both sides of these detectors was determined. The values, measured for this amount to 11.6 {mu}m on the {phi} side and 15.7 {mu}m on the z side. The angular dependence of the position resolution of the {phi} side was studied. The test in the particle beam yielded also some results, which make future studies necessary: The measurement have yielded differences in the position resolution of the two sides, which can only be partly explained by the geometry of the two detector sides. The position resolution is at-the-whole bader than expected. On both sides losses in signal charge occur. The signal-pulse heights of the {phi} side are lower than the corresponding signal-pulse heights of the z side. (orig./HSI). [Deutsch] Die doppelseitig auslesbaren Silizium-Streifendetektoren des MPI-TU-MBB-Designs wurden in Verbindung mit der dafuer entwickelten VLSI-Ausleseelektronik in einem Teilchenstrahl getestet. Anhand der in einem Elektronenstrahl (50 GeV) genommenen und anschliessend in speziell entwickelten Verfahren aufbereiteten Daten wurden folgende Untersuchungen durchgefuehrt: Die Verteilung des Energieverlustes minimal ionisierender Teilchen in Silizium wurde bestimmt. Die Korrelation zwischen den Signalpulshoehen der beiden Detektorseiten wurde gemessen. Das Signal/Rauschen-Verhaeltnis wurde aus der Verteilung des Energieverlustes bestimmt. Als wesentlicher Faktor fuer die erzielbare Ortsaufloesung, wurde die Form der Signalladungsverteilung untersucht. Als Folge der kapazitiven Ladungsverteilung treten Ladungsverluste zwischen den Streifen auf. Der Einfluss von {delta}-Elektronen auf die Breite der Ladungsverteilung und die erzielbare Ortsaufloesung wurde nachgewiesen. Die Abhaengigkeit des mittleren Energieverlustes und der Breite der Ladungsverteilung vom Eintrittswinkel des Teilchens wurde bestimmt. Als wesentliches Ergebnis dieses Tests wurde die Ortsaufloesung beider Seiten dieser Detektoren bestimmt. Die hierfuer gemessenen Werte betragen 11.6 {mu}m auf der Seite {phi}-Seite und 15.7 {mu}m auf der z-Seite. Die Winkelabhaengigkeit der Ortsaufloesung der {phi}-Seite wurde untersucht. Der Test im Teilchenstrahl erbrachte auch einige Ergebnisse die zukuenftige Untersuchungen notwendig machen: Die Messungen haben Unterschiede in der Ortsaufloesung der beiden Seiten ergeben, die nur zum Teil aus der Geometrie der beiden Detektorseiten erklaert werden koennen. Die Ortsaufloesung ist insgesamt schlechter als erwartet. Es treten auf beiden Seiten Verluste an Signalladung auf. Die Signalpulshoehen der {phi}-Seite sind niedriger als die entsprechenden Signalpulshoehen der z-Seite. (orig./HSI).}
place = {Germany}
year = {1991}
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