Abstract
The report deals with the development and optimization of reproducible techniques for joining Si{sub 3}N{sub 4} with Si{sub 3}N{sub 4} without interlayers consisting of other materials, applying hot isostatic pressing and vacuum plasma spraying. Furthermore, experiments are reported that have been performed in addition to the above-mentioned, for preparing Si{sub 3}N{sub 4} sintered specimens without sintering additives, applying the HIP technique. The resulting specimens have been tested for their joining characteristics, which are reported. All reported experiments have been performed varying essential parameters such as HIP temperature, pressure, holding time, surface roughness, and heat treatment. Every parameter has been examined individually for its effect on the bonding strength of the prepared Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4} joint, applying 4P bending tests at room temperature and at 1200deg C. (orig./MM). [Deutsch] Inhalt dieser Arbeit ist die Entwicklung und Optimierung reproduzierbarer Verbindungsverfahren von Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4} ohne Zwischenschichtmaterialien mittels HIP- und Vakuumplasmaspritz-Anlage. Parallel dazu werden auch Versuche zur Herstellung von Si{sub 3}N{sub 4}-Sinterkoerpern aus Si{sub 3}N{sub 4}-Pulver ohne Sinterzusaetze mittels HIP-Technik durchgefuehrt und weiterhin das Verbindungsverhalten von Si{sub 3}N{sub 4}-Metall erprobt und charakterisiert. Bei dem Verbindungsverfahren werden wesentliche Verbindungsparameter z.B. HIP-Temperatur, Druck, Haltezeit, Oberflaechenrauhigkeit und Waermebehandlungen gesondert untersucht, wobei das
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Sun Woo, J.
Development and characterization of HIP joining techniques for Si{sub 3}N{sub 4} materials; Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si{sub 3}N{sub 4}-Werkstoffen.
Germany: N. p.,
1991.
Web.
Sun Woo, J.
Development and characterization of HIP joining techniques for Si{sub 3}N{sub 4} materials; Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si{sub 3}N{sub 4}-Werkstoffen.
Germany.
Sun Woo, J.
1991.
"Development and characterization of HIP joining techniques for Si{sub 3}N{sub 4} materials; Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si{sub 3}N{sub 4}-Werkstoffen."
Germany.
@misc{etde_10140847,
title = {Development and characterization of HIP joining techniques for Si{sub 3}N{sub 4} materials; Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si{sub 3}N{sub 4}-Werkstoffen}
author = {Sun Woo, J}
abstractNote = {The report deals with the development and optimization of reproducible techniques for joining Si{sub 3}N{sub 4} with Si{sub 3}N{sub 4} without interlayers consisting of other materials, applying hot isostatic pressing and vacuum plasma spraying. Furthermore, experiments are reported that have been performed in addition to the above-mentioned, for preparing Si{sub 3}N{sub 4} sintered specimens without sintering additives, applying the HIP technique. The resulting specimens have been tested for their joining characteristics, which are reported. All reported experiments have been performed varying essential parameters such as HIP temperature, pressure, holding time, surface roughness, and heat treatment. Every parameter has been examined individually for its effect on the bonding strength of the prepared Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4} joint, applying 4P bending tests at room temperature and at 1200deg C. (orig./MM). [Deutsch] Inhalt dieser Arbeit ist die Entwicklung und Optimierung reproduzierbarer Verbindungsverfahren von Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4} ohne Zwischenschichtmaterialien mittels HIP- und Vakuumplasmaspritz-Anlage. Parallel dazu werden auch Versuche zur Herstellung von Si{sub 3}N{sub 4}-Sinterkoerpern aus Si{sub 3}N{sub 4}-Pulver ohne Sinterzusaetze mittels HIP-Technik durchgefuehrt und weiterhin das Verbindungsverhalten von Si{sub 3}N{sub 4}-Metall erprobt und charakterisiert. Bei dem Verbindungsverfahren werden wesentliche Verbindungsparameter z.B. HIP-Temperatur, Druck, Haltezeit, Oberflaechenrauhigkeit und Waermebehandlungen gesondert untersucht, wobei das Festigkeitsverhalten der gefuegten Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4}-Verbindungen durch 4P-Biegeversuche bei R.T. und 1200deg C beurteilt wird. (orig./MM).}
place = {Germany}
year = {1991}
month = {Sep}
}
title = {Development and characterization of HIP joining techniques for Si{sub 3}N{sub 4} materials; Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si{sub 3}N{sub 4}-Werkstoffen}
author = {Sun Woo, J}
abstractNote = {The report deals with the development and optimization of reproducible techniques for joining Si{sub 3}N{sub 4} with Si{sub 3}N{sub 4} without interlayers consisting of other materials, applying hot isostatic pressing and vacuum plasma spraying. Furthermore, experiments are reported that have been performed in addition to the above-mentioned, for preparing Si{sub 3}N{sub 4} sintered specimens without sintering additives, applying the HIP technique. The resulting specimens have been tested for their joining characteristics, which are reported. All reported experiments have been performed varying essential parameters such as HIP temperature, pressure, holding time, surface roughness, and heat treatment. Every parameter has been examined individually for its effect on the bonding strength of the prepared Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4} joint, applying 4P bending tests at room temperature and at 1200deg C. (orig./MM). [Deutsch] Inhalt dieser Arbeit ist die Entwicklung und Optimierung reproduzierbarer Verbindungsverfahren von Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4} ohne Zwischenschichtmaterialien mittels HIP- und Vakuumplasmaspritz-Anlage. Parallel dazu werden auch Versuche zur Herstellung von Si{sub 3}N{sub 4}-Sinterkoerpern aus Si{sub 3}N{sub 4}-Pulver ohne Sinterzusaetze mittels HIP-Technik durchgefuehrt und weiterhin das Verbindungsverhalten von Si{sub 3}N{sub 4}-Metall erprobt und charakterisiert. Bei dem Verbindungsverfahren werden wesentliche Verbindungsparameter z.B. HIP-Temperatur, Druck, Haltezeit, Oberflaechenrauhigkeit und Waermebehandlungen gesondert untersucht, wobei das Festigkeitsverhalten der gefuegten Si{sub 3}N{sub 4}-Si{sub 3}N{sub 4}-Verbindungen durch 4P-Biegeversuche bei R.T. und 1200deg C beurteilt wird. (orig./MM).}
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