Abstract
It was shown that CoSi{sub 2} films can be produced by means of ion beam synthesis over a wide thickness range (12-140 nm), by variation of the implantation energy and dose, with a very good film quality in Si and still satisfactory quality in SIMOX wafers and SiGe films. The resulting film structures cannot be produced by conventional means but are very important for applications in modules. For example, it was possible for the first time to produce very thin CoSi{sub 2} layers (<30 nm) in (100) Si and (100) Si/CoSi{sub 2}/SiO{sub 2}- and SiGe/CoSi{sub 2}/SiGe-heterostructures. (orig./MM) [Deutsch] In dieser Arbeit wird gezeigt, dass sich CoSi{sub 2}-Schichten mit Ionenstrahlsynthese ueber einen weiten Schichtdickenbereich (12-140 nm), durch Variation der Implantationsenergie und -dosis, mit einer sehr guten Schichtqualitaet in Si und mit gewissen Einschraenkungen auch in SIMOX-Wafern und SiGe-Schichten herstellen lassen. Es ergeben sich Schichtstrukturen, die mit konventionellen Methoden nicht realisiert werden koennen, fuer Anwendungen in Bauelementen aber von grosser Bedeutung sind. So konnten erstmals sehr duenne CoSi{sub 2}-Schichten (<30 nm) in (100) Si sowie (100) Si/CoSi{sub 2}/SiO{sub 2}- und SiGe/CoSi{sub 2}/SiGe-Heterostrukturen hergestellt werden. (orig./MM)
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Jebasinski, R.
Ion beam synthesis of monocrystalline CoSi{sub 2} layers in Si and their electrical and structural characterization; Ionenstrahlsynthese einkristalliner CoSi{sub 2}-Schichten in Si und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung.
Germany: N. p.,
1993.
Web.
Jebasinski, R.
Ion beam synthesis of monocrystalline CoSi{sub 2} layers in Si and their electrical and structural characterization; Ionenstrahlsynthese einkristalliner CoSi{sub 2}-Schichten in Si und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung.
Germany.
Jebasinski, R.
1993.
"Ion beam synthesis of monocrystalline CoSi{sub 2} layers in Si and their electrical and structural characterization; Ionenstrahlsynthese einkristalliner CoSi{sub 2}-Schichten in Si und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung."
Germany.
@misc{etde_10132070,
title = {Ion beam synthesis of monocrystalline CoSi{sub 2} layers in Si and their electrical and structural characterization; Ionenstrahlsynthese einkristalliner CoSi{sub 2}-Schichten in Si und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung}
author = {Jebasinski, R}
abstractNote = {It was shown that CoSi{sub 2} films can be produced by means of ion beam synthesis over a wide thickness range (12-140 nm), by variation of the implantation energy and dose, with a very good film quality in Si and still satisfactory quality in SIMOX wafers and SiGe films. The resulting film structures cannot be produced by conventional means but are very important for applications in modules. For example, it was possible for the first time to produce very thin CoSi{sub 2} layers (<30 nm) in (100) Si and (100) Si/CoSi{sub 2}/SiO{sub 2}- and SiGe/CoSi{sub 2}/SiGe-heterostructures. (orig./MM) [Deutsch] In dieser Arbeit wird gezeigt, dass sich CoSi{sub 2}-Schichten mit Ionenstrahlsynthese ueber einen weiten Schichtdickenbereich (12-140 nm), durch Variation der Implantationsenergie und -dosis, mit einer sehr guten Schichtqualitaet in Si und mit gewissen Einschraenkungen auch in SIMOX-Wafern und SiGe-Schichten herstellen lassen. Es ergeben sich Schichtstrukturen, die mit konventionellen Methoden nicht realisiert werden koennen, fuer Anwendungen in Bauelementen aber von grosser Bedeutung sind. So konnten erstmals sehr duenne CoSi{sub 2}-Schichten (<30 nm) in (100) Si sowie (100) Si/CoSi{sub 2}/SiO{sub 2}- und SiGe/CoSi{sub 2}/SiGe-Heterostrukturen hergestellt werden. (orig./MM)}
place = {Germany}
year = {1993}
month = {Mar}
}
title = {Ion beam synthesis of monocrystalline CoSi{sub 2} layers in Si and their electrical and structural characterization; Ionenstrahlsynthese einkristalliner CoSi{sub 2}-Schichten in Si und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung}
author = {Jebasinski, R}
abstractNote = {It was shown that CoSi{sub 2} films can be produced by means of ion beam synthesis over a wide thickness range (12-140 nm), by variation of the implantation energy and dose, with a very good film quality in Si and still satisfactory quality in SIMOX wafers and SiGe films. The resulting film structures cannot be produced by conventional means but are very important for applications in modules. For example, it was possible for the first time to produce very thin CoSi{sub 2} layers (<30 nm) in (100) Si and (100) Si/CoSi{sub 2}/SiO{sub 2}- and SiGe/CoSi{sub 2}/SiGe-heterostructures. (orig./MM) [Deutsch] In dieser Arbeit wird gezeigt, dass sich CoSi{sub 2}-Schichten mit Ionenstrahlsynthese ueber einen weiten Schichtdickenbereich (12-140 nm), durch Variation der Implantationsenergie und -dosis, mit einer sehr guten Schichtqualitaet in Si und mit gewissen Einschraenkungen auch in SIMOX-Wafern und SiGe-Schichten herstellen lassen. Es ergeben sich Schichtstrukturen, die mit konventionellen Methoden nicht realisiert werden koennen, fuer Anwendungen in Bauelementen aber von grosser Bedeutung sind. So konnten erstmals sehr duenne CoSi{sub 2}-Schichten (<30 nm) in (100) Si sowie (100) Si/CoSi{sub 2}/SiO{sub 2}- und SiGe/CoSi{sub 2}/SiGe-Heterostrukturen hergestellt werden. (orig./MM)}
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