Abstract
For this analysis, a fully depleteable pn-CCD (a novel, energy and local resolution semiconductor using the drift chamber principle) has been tested for verification at different temperatures, photon energies, and drift times, including theoretical calculations. Experimental results are in good agreement with calculated data, and deviations ({<=}11%) have been understood to an extent that proposals can be made for improving the accuracy. Charge splitting has been found to be reduced in the case of reduced charge collecting areas, i.e. for example at lower temperatures, or with shorter drift times. This effect is also reduced in the case of larger charge collecting areas (pixels). With the given topology of the cell structure, the charge splitting can be much more strongly suppressed as compared to other X-ray CCD design types. (orig.). [Deutsch] Fuer den konkreten Fall eines volldepletierbaren pn-CCDs (ein auf dem Driftkammerprinzip basierender neuartiger energie- und ortsaufloesender Halbleiterdetektor) wurden Berechnungen fuer verschiedene Temperaturen, Photoenergien und Driftzeiten ausgefuehrt und die Ergebnisse dargestellt. Im Experiment mit diesem Detektor wurden die theoretischen Resultate ueberprueft und bestaetigt. Abweichungen ({<=}11%) wurden weitgehend verstanden und Verbesserungsvorschlaege zur Erhoehung der Genauigkeit vorgeschlagen. Die Aufspaltung des Signals in mehrere Bildzellen (charge splitting) reduziert sich bei geringerer Ausdehnung des Ladungspaketes,
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Meidinger, N.
Diffusion and drift of charges in semiconductor detectors; Diffusion und Drift von Ladungen in Halbleiter-Detektoren.
Germany: N. p.,
1991.
Web.
Meidinger, N.
Diffusion and drift of charges in semiconductor detectors; Diffusion und Drift von Ladungen in Halbleiter-Detektoren.
Germany.
Meidinger, N.
1991.
"Diffusion and drift of charges in semiconductor detectors; Diffusion und Drift von Ladungen in Halbleiter-Detektoren."
Germany.
@misc{etde_10112659,
title = {Diffusion and drift of charges in semiconductor detectors; Diffusion und Drift von Ladungen in Halbleiter-Detektoren}
author = {Meidinger, N}
abstractNote = {For this analysis, a fully depleteable pn-CCD (a novel, energy and local resolution semiconductor using the drift chamber principle) has been tested for verification at different temperatures, photon energies, and drift times, including theoretical calculations. Experimental results are in good agreement with calculated data, and deviations ({<=}11%) have been understood to an extent that proposals can be made for improving the accuracy. Charge splitting has been found to be reduced in the case of reduced charge collecting areas, i.e. for example at lower temperatures, or with shorter drift times. This effect is also reduced in the case of larger charge collecting areas (pixels). With the given topology of the cell structure, the charge splitting can be much more strongly suppressed as compared to other X-ray CCD design types. (orig.). [Deutsch] Fuer den konkreten Fall eines volldepletierbaren pn-CCDs (ein auf dem Driftkammerprinzip basierender neuartiger energie- und ortsaufloesender Halbleiterdetektor) wurden Berechnungen fuer verschiedene Temperaturen, Photoenergien und Driftzeiten ausgefuehrt und die Ergebnisse dargestellt. Im Experiment mit diesem Detektor wurden die theoretischen Resultate ueberprueft und bestaetigt. Abweichungen ({<=}11%) wurden weitgehend verstanden und Verbesserungsvorschlaege zur Erhoehung der Genauigkeit vorgeschlagen. Die Aufspaltung des Signals in mehrere Bildzellen (charge splitting) reduziert sich bei geringerer Ausdehnung des Ladungspaketes, also beispielsweise im Falle tieferer Temperaturen oder kuerzerer Driftzeiten. Ebenso verringert sich dieser Effekt bei groesseren Ladungssammelflaechen (Pixel). Bei der gewaehlten Topologie der Bildzellenstruktur kann im Vergleich zu anderen Roentgen-CCD-Konzepten das charge splitting wesentlich staerker unterdrueckt werden. (orig.).}
place = {Germany}
year = {1991}
month = {Jan}
}
title = {Diffusion and drift of charges in semiconductor detectors; Diffusion und Drift von Ladungen in Halbleiter-Detektoren}
author = {Meidinger, N}
abstractNote = {For this analysis, a fully depleteable pn-CCD (a novel, energy and local resolution semiconductor using the drift chamber principle) has been tested for verification at different temperatures, photon energies, and drift times, including theoretical calculations. Experimental results are in good agreement with calculated data, and deviations ({<=}11%) have been understood to an extent that proposals can be made for improving the accuracy. Charge splitting has been found to be reduced in the case of reduced charge collecting areas, i.e. for example at lower temperatures, or with shorter drift times. This effect is also reduced in the case of larger charge collecting areas (pixels). With the given topology of the cell structure, the charge splitting can be much more strongly suppressed as compared to other X-ray CCD design types. (orig.). [Deutsch] Fuer den konkreten Fall eines volldepletierbaren pn-CCDs (ein auf dem Driftkammerprinzip basierender neuartiger energie- und ortsaufloesender Halbleiterdetektor) wurden Berechnungen fuer verschiedene Temperaturen, Photoenergien und Driftzeiten ausgefuehrt und die Ergebnisse dargestellt. Im Experiment mit diesem Detektor wurden die theoretischen Resultate ueberprueft und bestaetigt. Abweichungen ({<=}11%) wurden weitgehend verstanden und Verbesserungsvorschlaege zur Erhoehung der Genauigkeit vorgeschlagen. Die Aufspaltung des Signals in mehrere Bildzellen (charge splitting) reduziert sich bei geringerer Ausdehnung des Ladungspaketes, also beispielsweise im Falle tieferer Temperaturen oder kuerzerer Driftzeiten. Ebenso verringert sich dieser Effekt bei groesseren Ladungssammelflaechen (Pixel). Bei der gewaehlten Topologie der Bildzellenstruktur kann im Vergleich zu anderen Roentgen-CCD-Konzepten das charge splitting wesentlich staerker unterdrueckt werden. (orig.).}
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