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Annealing of radiation damages in extrinsic semiconductor detectors with lead chalkogenide diode lasers. Final report; Ausheilung von Strahlungsschaeden in extrinsischen Halbleiterdetektoren mit Bleichalkogeniddiodenlasern. Abschlussbericht

Miscellaneous:

Abstract

Highly sensitive, extrinsic semiconductor detectors are used at cryogenic temperatures in infrared satellite telescopes for astronomical applications. Calibration and sensitivity of the detectors are changed by high-energy radiation in the earth orbit. Conventional annealing methods either induce high electric power dissipation or do not anneal all detectors uniformly and reliably. The research project had the task of proving the annealing of radiation damage with the aid of a novel optical method that on the one hand is expected to involve low power dissipation and on the other hand achieves a reliable annealing of all detectors. The detector to be annealed is irradiated with the IR radiation of a lead chalkogenide laser diode. Annealing could be proved successfully in especially critical detectors with low losses. On the basis of the achieved results, the technique can be developed to prototype maturity within the framework of a successor project. (orig.) With 5 refs., 17 tabs., 29 figs. [Deutsch] Hochempfindliche extrinsische Halbleiterdetektoren werden in IR-Satellitenteleskopen bei kryogenen Temperaturen fuer astronomische Anwendungen eingesetzt. Durch hochenergetische Strahlung im Erdorbit wird die Kalibration und die Empfindlichkeit der Detektoren veraendert. Konventionelle Ausheiltechniken bedingen entweder hohe elektrische Verlustleistungen oder heilen nicht alle Detektoren gleichmaessig zuverlaessig aus. Ziel des Vorhabens  More>>
Publication Date:
Dec 31, 1991
Product Type:
Miscellaneous
Report Number:
INIS-mf-14017
Reference Number:
SCA: 440200; PA: DEN-92:000085; SN: 92000629700
Resource Relation:
Other Information: PBD: 1991
Subject:
46 INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY; INFRARED SPECTROMETERS; RADIATION CURING; SATELLITES; TELESCOPES; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; COSMIC RADIATION; GE SEMICONDUCTOR DETECTORS; SI SEMICONDUCTOR DETECTORS; PULSED IRRADIATION; SOLID STATE LASERS; LASER RADIATION; 440200; RADIATION EFFECTS ON INSTRUMENT COMPONENTS, INSTRUMENTS, OR ELECTRONIC SYSTEMS
OSTI ID:
10108898
Research Organizations:
Fraunhofer-Institut fuer Physikalische Messtechnik (IPM), Freiburg im Breisgau (Germany); Bundesministerium fuer Forschung und Technologie, Bonn (Germany)
Country of Origin:
Germany
Language:
German
Other Identifying Numbers:
Other: ON: DE92750130; CNN: Contract BMFT 511/DARA; BMFT 01RS89376; TRN: DE9200085
Availability:
OSTI; NTIS (US Sales Only); INIS
Submitting Site:
DEN
Size:
59 p.
Announcement Date:
Jun 30, 2005

Miscellaneous:

Citation Formats

Schiessl, U P, and Tacke, M. Annealing of radiation damages in extrinsic semiconductor detectors with lead chalkogenide diode lasers. Final report; Ausheilung von Strahlungsschaeden in extrinsischen Halbleiterdetektoren mit Bleichalkogeniddiodenlasern. Abschlussbericht. Germany: N. p., 1991. Web.
Schiessl, U P, & Tacke, M. Annealing of radiation damages in extrinsic semiconductor detectors with lead chalkogenide diode lasers. Final report; Ausheilung von Strahlungsschaeden in extrinsischen Halbleiterdetektoren mit Bleichalkogeniddiodenlasern. Abschlussbericht. Germany.
Schiessl, U P, and Tacke, M. 1991. "Annealing of radiation damages in extrinsic semiconductor detectors with lead chalkogenide diode lasers. Final report; Ausheilung von Strahlungsschaeden in extrinsischen Halbleiterdetektoren mit Bleichalkogeniddiodenlasern. Abschlussbericht." Germany.
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title = {Annealing of radiation damages in extrinsic semiconductor detectors with lead chalkogenide diode lasers. Final report; Ausheilung von Strahlungsschaeden in extrinsischen Halbleiterdetektoren mit Bleichalkogeniddiodenlasern. Abschlussbericht}
author = {Schiessl, U P, and Tacke, M}
abstractNote = {Highly sensitive, extrinsic semiconductor detectors are used at cryogenic temperatures in infrared satellite telescopes for astronomical applications. Calibration and sensitivity of the detectors are changed by high-energy radiation in the earth orbit. Conventional annealing methods either induce high electric power dissipation or do not anneal all detectors uniformly and reliably. The research project had the task of proving the annealing of radiation damage with the aid of a novel optical method that on the one hand is expected to involve low power dissipation and on the other hand achieves a reliable annealing of all detectors. The detector to be annealed is irradiated with the IR radiation of a lead chalkogenide laser diode. Annealing could be proved successfully in especially critical detectors with low losses. On the basis of the achieved results, the technique can be developed to prototype maturity within the framework of a successor project. (orig.) With 5 refs., 17 tabs., 29 figs. [Deutsch] Hochempfindliche extrinsische Halbleiterdetektoren werden in IR-Satellitenteleskopen bei kryogenen Temperaturen fuer astronomische Anwendungen eingesetzt. Durch hochenergetische Strahlung im Erdorbit wird die Kalibration und die Empfindlichkeit der Detektoren veraendert. Konventionelle Ausheiltechniken bedingen entweder hohe elektrische Verlustleistungen oder heilen nicht alle Detektoren gleichmaessig zuverlaessig aus. Ziel des Vorhabens war der Nachweis der Ausheilung von Strahlungsschaeden mit einer neuartigen optischen Technik, die zum einen niedrige Verlustleistungen und zum anderen eine zuverlaessige Ausheilung aller zum Einsatz kommenden Detektoren erwarten laesst. Dabei wird der auszuheilende Detektor mit der IR-Strahlung einer Bleichalkogenidlaserdiode bestrahlt. Ausheilung konnte an besonders kritischen Detektoren mit niedrigen Verlusten erfolgreich nachgewiesen werden. Auf der Basis der gewonnenen Ergebnisse kann im Rahmen eines Folgeprojektes das Verfahren zur Prototypreife entwickelt werden. (orig.) With 5 refs., 17 tabs., 29 figs.}
place = {Germany}
year = {1991}
month = {Dec}
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