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Title: Optical doping of Al{sub x}Ga{sub 1-x}N compounds by ion implantation of Tm ions

Abstract

Al{sub x}Ga{sub 1-x}N (0 axis for samples with AlN contents of 0.15 and 0.77 suggest a relation between the AlN content and Tm specific sites in the lattice. Rapid thermal annealing treatments under N{sub 2} ambient were performed to remove damage and promote optical activation of rare earth intra-4f{sup n} transitions. After annealing the observed intraionic emissions of Tm{sup 3+} ions were characterized by photoluminescence.

Authors:
; ; ; ; ; ; ;  [1];  [2];  [2];  [2];  [2];  [2]
  1. IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem (Portugal)
  2. (Portugal)
Publication Date:
OSTI Identifier:
22075733
Resource Type:
Journal Article
Journal Name:
AIP Conference Proceedings
Additional Journal Information:
Journal Volume: 1496; Journal Issue: 1; Conference: 19. international conference on ion implantation technology, Valladolid (Spain), 25-29 Jun 2012; Other Information: (c) 2012 American Institute of Physics; Country of input: International Atomic Energy Agency (IAEA); Journal ID: ISSN 0094-243X
Country of Publication:
United States
Language:
English
Subject:
36 MATERIALS SCIENCE; ALUMINIUM NITRIDES; ANNEALING; CHANNELING; GALLIUM COMPOUNDS; ION IMPLANTATION; IRRADIATION; LATTICE PARAMETERS; PHOTOLUMINESCENCE; RANDOMNESS; RESOLUTION; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; THULIUM IONS; VAPOR PHASE EPITAXY; X-RAY DIFFRACTION

Citation Formats

Fialho, M., Lorenz, K., Magalhaes, S., Redondo-Cubero, A., Rodrigues, J., Santos, N. F., Monteiro, T., Alves, E., IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal, and Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa, IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal and Departamento de Fisica e i3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Departamento de Fisica e i3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, and IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal, and Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa. Optical doping of Al{sub x}Ga{sub 1-x}N compounds by ion implantation of Tm ions. United States: N. p., 2012. Web. doi:10.1063/1.4766490.
Fialho, M., Lorenz, K., Magalhaes, S., Redondo-Cubero, A., Rodrigues, J., Santos, N. F., Monteiro, T., Alves, E., IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal, and Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa, IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal and Departamento de Fisica e i3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Departamento de Fisica e i3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, & IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal, and Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa. Optical doping of Al{sub x}Ga{sub 1-x}N compounds by ion implantation of Tm ions. United States. doi:10.1063/1.4766490.
Fialho, M., Lorenz, K., Magalhaes, S., Redondo-Cubero, A., Rodrigues, J., Santos, N. F., Monteiro, T., Alves, E., IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal, and Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa, IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal and Departamento de Fisica e i3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Departamento de Fisica e i3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, and IST/ITN, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN10, 2696-953 Sacavem, Portugal, and Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa. Tue . "Optical doping of Al{sub x}Ga{sub 1-x}N compounds by ion implantation of Tm ions". United States. doi:10.1063/1.4766490.
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