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Die AG As (Optoelektronische Halbleiter -Gruppe III-Nitride) bieten ab Januar 2006 eine Arbeit zur Erlangung des Akad.Grades eines
 

Summary: Die AG As (Optoelektronische Halbleiter - Gruppe III-Nitride)
bieten ab Januar 2006 eine Arbeit zur Erlangung des Akad.Grades eines
Master of Science bzw. Diplom-Physikers/in
mit dem Thema
Erhöhung der Emissionseffizient von kubischen GaN-LEDs mit Hilfe
zweidimensonaler Photonischer Kristalle
an.
Die Lichtauskoppelung von InGaN basierenden LEDs soll durch
Integration oder Aufbringen von zweidimensionalen
photonischen Kristallen signifikant verbessert werden. Dazu
sollen auf kubischen InGaN LEDs, die mittels Molekular-
strahlepitaxie (MBE) hergestellt werden, verschieden
strukturierte 2-dimensionale Photonische Kristalle aufgebracht
und die Auskopplung der Emission mit optischen Methoden wie
winkelaufgelöse Elektro- bzw. Photolumineszenzmessungen
untersucht werden. Ziel ist das Erreichen einer verbesserten
Lichtauskoppelung bei einer Wellenlänge von 510 nm und ein
verbessertes physikalisches Verständnis der Auskopplung mit
Hilfe von FD-TD Simulationsrechnungen.
Optoelectronic Semiconductors

  

Source: As, Donat Josef - Department Physik, Universität Paderborn

 

Collections: Materials Science; Physics