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Summary: Optoelektronische Halbleiter Gruppe III Nitride
Donat J. As
Universität Paderborn, Department Physik
d.as@uni-paderborn.de
http://physikwww.upb.de/ag/ag-as/
Optoelektronische und elektronische Bauelemente aus kubischen
Gruppe III-Nitriden
In der Arbeitsgruppe werden
funktionelle Nanostrukturen aus
Gruppe III-Nitriden (Ga(Al,In)N) mit
kubischer Kristallstruktur herge-
stellt. Dabei wird die Molekular-
strahlepitaxie (MBE) eingesetzt.
Beispiele: Feld-Effekt-Transistoren
Metall Isolator Halbleiter (MIS)
IR-Detektoren
Tunnel Dioden
Arbeitsgruppe apl.Prof. D.J. As
Kubische Gruppe III-Nitride
Elektronische Bauelemente HFETs (Zusammen mit TU Ilmenau)
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